發(fā)明專利 1 件
實(shí)用新型 0 件
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涉外專利 0 件
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隨著激光器向高功率和高能量方向的快速發(fā)展,其系統(tǒng)內(nèi)部的光學(xué)薄膜元件由于抗激光損傷能力通常較低,容易發(fā)生損傷和破壞,成為了當(dāng)前大功率激光系統(tǒng)研發(fā)的最主要的制約因素。因此,如果能夠找到一種獲得高損傷閾值特性的激光薄膜的制備方法,在大型激光器的相關(guān)研究中將有著重要的應(yīng)用價(jià)值。
當(dāng)前的光學(xué)薄膜制備過程,通常是選用特性的基底,例如BK7玻璃或石英,然后在這些基底表面采用不同的制備方法鍍制具有特定膜系結(jié)構(gòu)的薄膜。通過改進(jìn)鍍制方法以及后處理技術(shù)及工藝,可以在一定程度上提高薄膜的激光損傷閾值。有趣的是,相比于普通的單層膜以及增透膜等膜系,高反膜往往可以獲得更高的激光損傷閾值。其原因在于,高反膜使得光束發(fā)生反射,絕大部分能量都不需要穿透基底,這也同時(shí)表明了基底對薄膜的激光損傷閾值起主導(dǎo)作用。這種基底誘發(fā)的激光損傷主要原因在于:(1)基底的后續(xù)加工可能會產(chǎn)生表面及內(nèi)部缺陷;(2)基底在運(yùn)輸過程中導(dǎo)致的一些表面的損傷;(3)鍍膜前對基底表面的清潔等工作,產(chǎn)生劃痕等破壞或引入微量雜質(zhì)。上述這些損傷、缺陷和雜質(zhì)將會使得基底與薄膜界面成為納秒激光誘導(dǎo)損傷最容易發(fā)生的部位,從而極大的降低了薄膜的激光損傷閾值。因此,如果能夠嘗試重新構(gòu)建基底,并在該新建的基底上直接鍍制薄膜,那么就有可能獲得具有極高激光損傷閾值的薄膜。迄今為止,采用重建基底并制備高激光損傷閾值的薄膜的研究尚未有報(bào)道。
本發(fā)明的目的是,克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,提供了一種具有高激光損傷閾值的激光薄膜的制備方法,通過重建基底獲得具有高激光損傷閾值的薄膜,該發(fā)明直接在新制備的基底上進(jìn)行激光薄膜的鍍制,避免了各種基底運(yùn)輸及處理技術(shù)所引入的缺陷或雜質(zhì),使得整個光學(xué)薄膜器件內(nèi)部潛在的激光誘導(dǎo)損傷點(diǎn)大量減少,因而提高了薄膜的抗激光損傷特性。
本發(fā)明的具有高激光損傷閾值的激光薄膜的制備方法,其步驟為:
步驟1、采用高純氣體對可犧牲性基底吹1~10min,去除該可犧牲性基底表面的雜質(zhì)。步驟2、在上述的可犧牲性基底上采用離子束濺射技術(shù)鍍制SiO2;本底真空度為9×10-5~8×10-4Pa,烘烤溫度為50~250℃,充氧壓為1×10-2~1×10-1Pa,濺射源的氬氣流量為1~100mL/min,射頻中和器的氬氣流量為0.1~50mL/min,輔助源的氬氣和氧氣的流量比為0.1~5,濺射前先對Si靶進(jìn)行清洗,然后開始鍍制厚度為1~5000µm的SiO2,該SiO2作為基底。步驟3、將鍍制后的SiO2基底在氣氛中進(jìn)行退火處理,退火溫度為100~400℃,升溫速率為0.01~20℃/min,保溫時(shí)間為1~50h。步驟4、采用常規(guī)的物理法鍍膜技術(shù)在SiO2基底表面沉積薄膜材料,獲得相應(yīng)的光學(xué)功能。步驟5、將上述制備得到的薄膜器件放入去離子水中浸泡0.1~2h,然后在25~400℃的空氣氣氛中干燥0.5~96h,獲得本發(fā)明中的具有高損傷閾值的激光薄膜。
由于采用了上述方案,使用新鮮的重建基底,避免了常規(guī)基底在加工處理及運(yùn)輸?shù)冗^程中引入的雜質(zhì)或缺陷,使得制備的薄膜的閾值有了大幅提高;同時(shí),上述的基底重建在一種容易去除的可犧牲性基底上面,可以非常方便的將原始的基底通過水溶等方法除去,不影響最終獲得的薄膜的質(zhì)量及性能。該方法解決了常規(guī)的激光薄膜無法克服基底主導(dǎo)損傷的局限性,提高了激光損傷閾值,達(dá)到了本發(fā)明的目的。
序號 | 專利號 | 專利名稱 | 專利類型 | 專利狀態(tài) | 其他資料 |
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1 |
一種具有高激光損傷閾值的激光薄膜的制備方法 |
發(fā)明專利 |
已下證 |
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聲明信息 審核發(fā)布
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